半導(dǎo)體測(cè)試 - 解決方案
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IT2800 高精密源測(cè)量單元在磁電阻中的測(cè)試應(yīng)用
某材料領(lǐng)域用戶(hù)需要進(jìn)行薄膜磁電阻的電阻率測(cè)試,在這個(gè)測(cè)試中首先需構(gòu)建變化的磁場(chǎng),再向待測(cè)磁電阻輸入高精密恒流源,利用四探針?lè)y(cè)試薄膜磁電阻 的磁阻及磁電特性。恒流源需以1mA恒流輸出,分辨率1nA。還需要有脈沖掃描功能,高電平從100mA掃描到-100mA,低電平為0.1mA。這要求恒流源電源需要有高分辨率高精度以保證測(cè)試的精準(zhǔn)及穩(wěn)定、正電流到負(fù)電流的連續(xù)穩(wěn)定掃描功能。 -
半導(dǎo)體分立器件性能實(shí)驗(yàn)
半導(dǎo)體分立器件一般泛指半導(dǎo)體二極管、晶體管、晶閘管, 是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一,主要用于電力電子設(shè)備的整 流、穩(wěn)壓、開(kāi)關(guān)、混頻等, 在消費(fèi)電子、汽車(chē)電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動(dòng)控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國(guó)民經(jīng)濟(jì)領(lǐng) 域均有廣泛、大量的應(yīng)用。 -
光耦繼電器測(cè)試實(shí)驗(yàn)
光耦繼電器是用半導(dǎo)體器件代替?zhèn)鹘y(tǒng)電接點(diǎn)作為切換裝置的具有繼電器特性的無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)外圍接口裝置、數(shù)控機(jī)械、遙控系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化器械、精密儀表等產(chǎn)品中。在進(jìn)行光耦繼電器測(cè)試實(shí)驗(yàn)時(shí), 過(guò)流是造成其內(nèi)部輸出可控硅永久性損壞的主要原因。許多負(fù)載在接通瞬間會(huì)產(chǎn)生很大的浪涌電流,因此在實(shí)驗(yàn)時(shí)保證一定的電流余量是極其重要的。 -
激光器測(cè)試
激光器測(cè)試對(duì)供電源有著極高的要求,為恒流供電方式。傳統(tǒng)的電源,默認(rèn)為CV環(huán)路優(yōu)先,啟動(dòng)瞬間抑制電流過(guò)沖速度較慢。ITECH多系列可編程直流源具備CC/CV優(yōu)先權(quán)功能,用戶(hù)可根據(jù)測(cè)試需求調(diào)節(jié)環(huán)路速度,選擇CV模式電壓高速的測(cè)試場(chǎng)景,或是CC優(yōu)先模式電流無(wú)過(guò)沖的場(chǎng)景。 -
如何快速測(cè)試半導(dǎo)體器件I/V特性?
電子測(cè)量?jī)x器作為基礎(chǔ)科研工具,是國(guó)家科研自主可控的重要環(huán)節(jié)。在半導(dǎo)體器件超導(dǎo)材料和光電器件等測(cè)試領(lǐng)域中,為了更全面地檢測(cè)器件特性,提升整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)的效率,往往對(duì)供給電源和測(cè)量同步性方面有更嚴(yán)苛的要求。東方中科為您推薦更加便捷的國(guó)產(chǎn)測(cè)試解決方案,無(wú)需上位機(jī)軟件,可直接在儀器界面設(shè)置并生成半導(dǎo)體元件如二極管、三極管、MOS管、IGBT等IV特性曲線,并可以直接調(diào)用常用器件庫(kù),幫您快速完成測(cè)試。 -
TLS-1000 LIV 測(cè)試方案
精密溫控型多功能LV 光譜功率積分測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試方案系統(tǒng)背景隨著光電子技術(shù)和信息技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體激光器(LD)在光纖通信,信息存儲(chǔ)、光傳輸?shù)阮I(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,作為系統(tǒng)的光源,LD 特性的優(yōu)劣直接影響著系統(tǒng)的性能。 -
IGBT與三代半導(dǎo)體SiC雙脈沖測(cè)試方案
日前,基于SiC和GaN的第三代半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展,其對(duì)應(yīng)的分立器件性能測(cè)試需求也隨之而來(lái)。其較高的dv/dt與di/dt給性能測(cè)試帶了不少困難。泰克的TIVP系列光隔離探頭,以其優(yōu)越的160dB共模抑制比,超低的前端電容,豐富的連接方式,搭配便捷的AFG31000雙脈沖輸出功能,加速三代半導(dǎo)體測(cè)試流程。 -
是德多通道源表克服LIV測(cè)試挑戰(zhàn)
垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)是成像、傳感技術(shù)和數(shù)據(jù)通信的關(guān)鍵部件。VCSEL的優(yōu)勢(shì)之一是能夠在制造過(guò)程的早期階段進(jìn)行晶片級(jí)別的測(cè)試,相比之下,對(duì)其他邊緣發(fā)射半導(dǎo)體激光器的測(cè)試通常在制造周期結(jié)束時(shí)進(jìn)行,此時(shí)產(chǎn)品已達(dá)到生產(chǎn)的最后階段。這種測(cè)試方法允許及早檢測(cè)組件故障,通過(guò)在封裝之前識(shí)別有缺陷的設(shè)備,大大節(jié)省了時(shí)間和成本。